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藍寶石的制作

藍寶石襯底制作工藝流程簡要說明

長晶: 利用長晶爐生長尺寸大且高品質的單晶藍寶石晶體

定向: 確保藍寶石晶體在掏棒機臺上的正確位置, 便于掏棒加工

掏棒: 以特定方式從藍寶石晶體中掏取出藍寶石晶棒

滾磨: 用外圓磨床進行晶棒的外圓磨削, 得到精確的外圓尺寸精度

品檢: 確保晶棒品質以及以及掏取后的晶棒尺寸與方位是否合客戶規格

定向:在切片機上準確定位藍寶石晶棒的位置, 以便于精準切片加工

切片:將藍寶石晶棒切成薄薄的芯片

研磨:去除切片時造成的芯片切割損傷層及改善芯片的平坦度

倒角:將芯片邊緣修整成圓弧狀, 改善薄片邊緣的機械強度, 避免應力集中造成缺陷

拋光:改善芯片粗糙度, 使其表面達到外延片磊晶級的精度

清洗:清除芯片表面的污染物(如:微塵顆粒, 金屬, 有機玷污物等)

品檢:以高精密檢測儀器檢驗芯片品質(平坦度, 表面微塵顆粒等), 以合乎客戶要求

柱狀與孔狀圖形襯底對MOVPE 生長GaN 體材料及LED 器件的影響 江洋 羅毅 汪萊 李洪濤 席光義 趙維 韓彥軍

【摘要】:在柱狀圖形藍寶石襯底(PSS -p) 和孔狀圖形藍寶石襯底(PSS -h) 上外延了GaN 體材料和LED 結構并進行了詳細對比和分析.X 射線衍射儀(XRD)和原子力顯微鏡(AFM)測試結果表明, PSS -h 上體材料的晶體質量和表面形貌都優于PSS -p 上體材料的特性, 通過斷面掃面電子顯微鏡(SEM)照片看出PSS -h 上GaN 的側向生長是導致這種差異的原因. 另外, 基于PSS -p 和PSS -h 上外延的LED 材料制作而成的器件結果表明, 其20mA 下光功率水平相比普通藍寶石襯底(CSS)分別提高了46%和33%.通過變溫光熒光譜(PL)分析發現, 樣品的內量子效率十分接近. 因此, 可以推斷PSS -h 上側向外延中存留的空氣隙則會影響光提取效率的提高.

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